国电（d）转移到SiO2/Si上的石墨烯的光学图像和2DFWHM拉曼图。

该工作突破了在绝缘基底上合成大面积单晶石墨烯的瓶颈，司中素智为下一代基于高质量石墨烯的纳米器件的研究和发展提供参考。【小结】综上所述，弘像户规通过碳原子从Cu(111)表面扩散到Cu(111)-Al2O3(0001)界面，生长合成石墨烯。

区电以第一作者和通讯作者身份发表论文在NatureMaterials,AdvancedMaterials,NanoLetters等。最近相关工作报道了大规模单晶Cu(111)箔的生产制备，力光这有利于合成无多层的大尺寸单层石墨烯，但是褶皱还是会被观察到。本文所有图来源于©2022SpringerNatureLimited【图文解读】图一、纤用续扩在Al2O3(0001)上形成的晶圆尺寸单晶Cu(111)薄膜（a）Al2O3(0001)表面上Cu(110)、纤用续扩Cu(100)和Cu(111)的能量示意图。

目前，模持石墨烯薄膜在铜箔上的生长已经非常成熟，并且实现了高质量CVD石墨烯的工业化生产。田博博士生简介田博，国电现为沙特阿卜杜拉国王科技大学（KASUT）在读博士，国电于2015年本科毕业于厦门大学物理系（导师：蔡伟伟），于2018年加入KAUST低维纳米材料研究实验室（导师：张西祥）。

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弘像户规（g）界面处生长的和转移到SiO2/Si上的石墨烯的AFM图像。区电（c）与温度相关的CH4选择性。

力光（e-f）退火处理的2%Ru/R-TiO2-H2和4%Ru/R-TiO2-H2催化剂在Ar和空气中的温度依赖性CO2转化率。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，纤用续扩投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

在A-TiO2上，模持Ru表现出降低的活性和CO的主要选择性。图六、国电界面相容性对Ru/TiO2粘合强度影响的原子图 ©2022TheAuthors（a）RuNPs在R-TiO2(110)表面上的外延分散示意图。